快科技12月15日消息，在第69届IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上，国产存储第一大厂长鑫带来了一篇沦为，其在技术上有了突破，可以搞定3nm技术芯片。

从长鑫发表的论文看，这是展示了其在环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）技术上的突破，而它可以用在3nm工艺制程芯片上，而当然也是可以向下搞定5nm、7nm、10nm和14nm。

由于设备制程管制，长鑫现在还无法生产和制造，但这个论文已经显示，他们拥有了这个技术实力，而这样而是国产芯片自主突破的一个缩影。

在这之前，长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品，包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。

长鑫存储也是国内首家推出自主研发生产的LPDDR5产品的品牌，实现了国内市场零的突破。

LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。